. Gate에 전압()을 가해주어도 페르미 에너지 준위()는 변하지 않고 일정하며, >0이면 금속의 는 내려가며 <0이면 금속의 는 올라간다. 따라서 반도체 쪽의 에너지 밴드는 전압에 따라 휘어지게 되며 oxide에서는 charge center가 없으므로 electric field가 일정하다. 그 결과 band가 일정한 기울기로 휘어지게 된다.
qV만큼 증가한다. 반도체는 금속에 음의 전하가 축적되는 것과 반대로 반도체-산화물 계면에서 정공축적상태가 되는데, 이를 수용하도록 반도체의 에너지대역은 계면부근에서 휘어진다. 반도체 내의 페르미 준위는 전류의 흐름이 없으므로 일정하고 과 또한 전압에 따라 변하는 것이 아니므로 산화물
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
[ 실 험 제 목 ]
유기 태양전지의 제작 및 측정 (Fabrication of Organic Solar Cell and It`s Measurement )
[ 실 험 목 적 ]
1. 대표적인 유기반도체 소재인 p-형 폴리(3-헥실)티오펜, poly(3-hexyl thiophene)과 n-형 플러렌 유도체, phenyl-C61-butyric acid methyl ester(PCBM)를 이용한 유기태양전지의 소개, π-공액구조 및 전하이동 메
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을
1. 태양광 발전의 특징
태양광 산업은 무한정 무공해의 자원을 활용하여 전기를 생성하는 신재생 에너지원으로 1990년대 이후 기후변화협약에 따른 환경문제가 범세계적으로 심각하게 대두됨에 따른 삶의 질을 향상시킬 수 있는 환경 친화적 에너지 기술로서, 태양광을 받아 전기를 발생하는 태양전
4. 실험장비
① E-Beam Evaporator
PVD(Physical vapor deposition)의 한 방법으로 전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여
4. 실험방법
① Wafer준비
우리 조의 변수인 산화물(SiO2)의 두께인 5nm, 10nm, 15nm가 증착된 Si wafer를 준비한다.
유산지를 깔고 그 위에 wafer를 올린다음 각 두께별로 원판모양인 Si wafer에 텅스텐 칼을 이용하여 약간의 힘을 가하면서 잘라주어 1면적을 가지도록 만들어준다.
각 두께별로 표시를 해둔 페